StarPower, модель GD20FFT60L4S, представляет собой высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением коллектора-эмиттера 600 В и максимальным током коллектора 35 А при температуре корпуса 25°C. Этот модуль применяется в промышленной электронике для управления мощными инверторами, частотными преобразователями и другими силовыми устройствами.
IGBT-модуль GD20FFT60L4S от StarPower изготовлен с использованием технологии Trench IGBT, обеспечивающей низкие потери при насыщении и малые коммутационные потери, что улучшает энергоэффективность и снижает нагрев при работе. Модуль способен выдерживать короткие замыкания благодаря максимальному времени выдержки 8 мкс, что повышает надежность работы в условиях динамических нагрузок.
Максимальное рабочее напряжение коллектора-эмиттера достигает 600 В, что позволяет использовать модуль в средних и высоковольтных цепях. Номинальный ток коллектора составляет 35 А, а импульсный - до 40 А, что подходит для работы с мощными нагрузками. Рекомендуемое напряжение затвора относительно эмиттера варьируется в пределах ±20 В, что обеспечивает надежное переключение.
Модуль включает встроенный диод с высокой скоростью восстановления, который уменьшает потери в цепи и увеличивает КПД. Внутреннее сопротивление канала затвора к эмиттеру низкое, что обеспечивает быструю коммутацию и уменьшение радиопомех. Максимальная температура перехода модуля достигает 175 °C, а рабочая температура до 150 °C, что дает широкие возможности применения в промышленных системах.
Применяется GD20FFT60L4S в производстве частотных преобразователей, систем управления двигателями, источников бесперебойного питания, систем инвертирования солнечных панелей, промышленной робототехнике и оборудовании для электромобилей.
| Фирма-изготовитель | StarPower Semiconductor Ltd |
| Страна изготовления | Китай |
| Модель | GD20FFT60L4S |
| Тип устройства | IGBT-модуль |
| Максимальное напряжение | 600 В коллектор-эмиттер |
| Номинальный ток | 35 А при TC=25°C |
| Импульсный ток | 40 А tp=1 ms |
| Макс. мощность рассеяния | 84 Вт |
| Время выдержки КЗ | 8 μс |
| Максимальная температура | 175 °C переход, 150 °C рабочая |
| Напряжение затвора | ±20 В |
| Встроенный диод | Быстродействующий |
| Изоляция | 4000 В RMS, 1 мин |
| Размеры | Зависит от корпуса модуля |
| Вес | Около 10 г |
- Технология Trench IGBT для низких потерь и высокой эффективности.
- Высокий номинальный ток 35 А и импульсный ток до 40 А.
- Быстрая коммутация с малой задержкой и переходными потерями.
- Высокая максимальная температура и устойчивость к перегрузкам.
- Встроенный быстродействующий диод с низкими потерями.
- Широкое применение в промышленной и силовой электронике.
IGBT-модуль GD20FFT60L4S от StarPower - надежное решение для высокоэффективного управления мощными электроприборами и преобразователями. Совмещая передовые технологии и высокую надежность, модуль позволяет создавать компактные и производительные электронные системы с длительным сроком службы.
