TOSHIBA MG50Q2YS91 представляет собой мощный силовой модуль на основе биполярного транзистора с изолированным затвором IGBT. Он представляет собой полумостовую конфигурацию с номинальным током 50 А и предназначен для высокоскоростных переключений в схемах инверторов, сервоприводов, источников бесперебойного питания и другого промышленного оборудования.
Модуль MG50Q2YS91 является частью обширной линейки силовых полупроводниковых компонентов от Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, мирового лидера в производстве электроники. Этот модуль разработан для обеспечения высокой производительности и надежности в высокочастотных и высоковольтных приложениях.
Расшифровка артикула:
MG- обозначает серию силовых модулей Toshiba.
50- указывает на номинальный ток коллектора - 50 А.
Q- обозначает конфигурацию - двухканальный модуль (полумост).
2- указывает на номинальное напряжение пробоя коллектор-эмиттер - 1200 В.
Y- обозначает тип корпуса и технологию.
S91- обозначает конкретный подтип модуля, его характеристики и встроенные функции, включая наличие антипараллельных диодов.
Модуль MG50Q2YS91 использует технологию IGBT для обеспечения эффективного переключения высоких токов и напряжений с минимальными потерями. В его состав входят два IGBT-транзистора и два свободных диода, соединенные в конфигурации полумоста. Такая схема упрощает проектирование инверторов и схем управления двигателями, так как все необходимые силовые ключи для одной фазы находятся в одном изолированном корпусе.
Высокая скорость переключения, низкое падение напряжения коллектор-эмиттер в открытом состоянии и высокая входная емкость делают его идеальным для применений, где требуется высокая эффективность и минимальные потери мощности. Модуль имеет изолированный корпус, что упрощает его монтаж на радиатор и обеспечивает дополнительную безопасность, защищая от электрических пробоев.
| Фирма-изготовитель | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation |
| Серия | IGBT Modules (MG) |
| Модель | MG50Q2YS91 |
| Тип | Силовой IGBT-модуль |
| Конфигурация | Полумост (Half Bridge) |
| Количество элементов | 2 IGBT-транзистора, 2 диода |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 50 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер () | 1200 В |
| Напряжение затвор-эмиттер () | ±20 В |
| Тип корпуса | Модульный, с изолированным основанием |
- Высокая скорость переключения. Обеспечивает высокую эффективность в импульсных схемах и инверторах.
- Низкое падение напряжения (). Уменьшает потери мощности и выделение тепла при работе.
- Интегрированная конфигурация. Встроенный полумост упрощает разводку печатной платы и уменьшает количество компонентов.
- Электрическая изоляция. Изолированный корпус упрощает монтаж на радиатор и повышает безопасность.
- Надежность. Рассчитан на работу в условиях высоких нагрузок и температур.
Toshiba позиционирует свои IGBT-модули как высокопроизводительные компоненты для различных промышленных применений, включая управление двигателями, сварочные аппараты, ИБП и другие силовые преобразователи. Производитель подчеркивает, что их модули обеспечивают превосходную эффективность, надежность и компактность, что позволяет создавать более совершенные и энергоэффективные устройства.
