STARPOWER GD150HFL120C8SN представляет собой высокоэффективный силовой модуль на основе биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). Он имеет конфигурацию полумоста (Half-Bridge) с номинальным током 150 А и предназначен для высокочастотного переключения в схемах инверторов, сервоприводов, источников бесперебойного питания (ИБП) и другого промышленного оборудования.
Модуль GD150HFL120C8SN является частью обширной линейки силовых полупроводниковых компонентов от StarPower Semiconductor Ltd., ведущего производителя из Китая, специализирующегося на IGBT-модулях и других силовых устройствах. Этот модуль разработан для обеспечения высокой производительности и надежности в высокочастотных и высоковольтных приложениях.
Расшифровка артикула:
GD- обозначает серию IGBT-модулей StarPower.
150- указывает на номинальный ток коллектора - 150 А при температуре корпуса 80°C.
H- обозначает тип корпуса (в данном случае, стандартный корпус).
FL- указывает на конфигурацию - полумост (Half Bridge).
120- обозначает номинальное напряжение пробоя коллектор-эмиттер - 1200 В (120 * 10 В).
C8- обозначает тип корпуса и технологию (C8 - один из стандартных корпусов компании).
SN- обозначает конкретный подтип модуля, его характеристики и встроенные функции, включая наличие антипараллельных диодов.
Модуль GD150HFL120C8SN построен с использованием технологии IGBT Trench Field-Stop, что обеспечивает низкое падение напряжения коллектор-эмиттер в открытом состоянии () и малые потери при переключении. В его состав входят два IGBT-транзистора и два свободных (freewheeling) диода, соединенные в конфигурации полумоста. Эта схема упрощает проектирование инверторов и схем управления двигателями, так как все необходимые силовые ключи для одной фазы находятся в одном изолированном корпусе.
Высокая скорость переключения, низкие потери мощности и 10-микросекундная стойкость к короткому замыканию делают этот модуль идеальным для применений, где критически важны высокая эффективность и надежность. Корпус имеет изолированное медное основание с использованием технологии DBC (Direct Bonded Copper), что обеспечивает эффективный отвод тепла и упрощает монтаж на радиатор.
| Фирма-изготовитель | STARPOWER Semiconductor Ltd |
| Серия | IGBT Modules (GD) |
| Модель | GD150HFL120C8SN |
| Тип | Силовой IGBT-модуль |
| Конфигурация | Полумост (Half Bridge) |
| Количество элементов | 2 IGBT-транзистора, 2 диода |
| Номинальный ток коллектора () | 150 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер () | 1200 В |
| Напряжение затвор-эмиттер () | ±20 В |
| Тип корпуса | Модульный, с изолированным основанием |
| Температура перехода () | 175°C |
- Технология Trench Field-Stop IGBT. Обеспечивает низкие потери проводимости и переключения.
- Стойкость к короткому замыканию. Способность выдерживать короткое замыкание до 10 мкс.
- Интегрированная конфигурация. Полумостовая схема с антипараллельными диодами упрощает проектирование.
- Эффективное охлаждение. Изолированное медное основание (DBC) обеспечивает отличный отвод тепла.
- Широкий диапазон применения. Идеален для инверторов, приводов, ИБП и систем индукционного нагрева.
StarPower позиционирует свои IGBT-модули как высокопроизводительные компоненты для различных промышленных применений. Производитель подчеркивает, что их модули обеспечивают ультранизкие потери проводимости, высокую стойкость к короткому замыканию и превосходную надежность, что позволяет создавать более эффективные и долговечные силовые преобразователи.
